Weitere Produktangebote IRF2807STRLPBF nach Preis ab 0.99 EUR bis 4.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1500 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 75V Drain current: 82A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 838 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC |
auf Bestellung 165 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 3 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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IRF2807STRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 75V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 82A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 200W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm |
auf Bestellung 479 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.27 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.27 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.66 EUR |
| 1600+ | 1.54 EUR |
| 2400+ | 1.47 EUR |
| 4000+ | 1.4 EUR |
| 5600+ | 1.36 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 292+ | 1.88 EUR |
| 500+ | 1.67 EUR |
| 1000+ | 1.51 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 2.31 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 82A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 82A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 838 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 26+ | 2.85 EUR |
| 42+ | 1.72 EUR |
| 53+ | 1.37 EUR |
| 100+ | 1.26 EUR |
| 250+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 1.03 EUR |
| 800+ | 0.99 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
MOSFETs MOSFT 75V 82A 13mOhm 106.7nC
auf Bestellung 165 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 4.63 EUR |
| 10+ | 2.97 EUR |
| 100+ | 2.04 EUR |
| 500+ | 1.66 EUR |
| 800+ | 1.54 EUR |
| 2400+ | 1.5 EUR |
| 4800+ | 1.45 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 160 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3820 pF @ 25 V
auf Bestellung 6741 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.93 EUR |
| 10+ | 3.18 EUR |
| 100+ | 2.18 EUR |
| IRF2807STRLPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 75V 82A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF2807STRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
Description: INFINEON - IRF2807STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 82 A, 0.013 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
auf Bestellung 479 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)