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IRF2907ZSTRLPBF

IRF2907ZSTRLPBF Infineon Technologies


infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF2907ZSTRLPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: D2PAK, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF2907Z_DataSheet_v01_01_EN-3362882.pdf MOSFETs MOSFT 75V 170A 4.5mOhm 180nC
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf2907zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ded98f1902 Description: MOSFET N-CH 75V 160A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 3
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf2907z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 170A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2907ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF2907ZSTRLPBF IRF2907ZSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES IRF2907ZSTRLPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 170A; 330W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 170A
Power dissipation: 330W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
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