IRF300P226

IRF300P226 Infineon Technologies


infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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Technische Details IRF300P226 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 556W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf300p226-datasheet-v02_03-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF300P226-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462602a9dc8016038801939199d Description: MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 556W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 191 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10030 pF @ 50 V
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF300P226_DataSheet_v02_01_EN-3362840.pdf MOSFETs IFX OPTIMOS
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : INFINEON 2718692.pdf Description: INFINEON - IRF300P226 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 100 A, 0.016 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
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Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf300p226-ds-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 100A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 313W
Gate charge: 191nC
Technology: StrongIRFET™
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 53A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRF300P226 IRF300P226 Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED885C5F4C3ED4E4A18&compId=IRF300P226.pdf?ci_sign=523cfb4517b457f02217f0b7903329d12f595169 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 53A; 313W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Case: TO247AC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 19mΩ
Power dissipation: 313W
Gate charge: 191nC
Technology: StrongIRFET™
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: THT
Drain current: 53A
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