IRF300P227 Infineon Technologies
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Technische Details IRF300P227 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 313W, Bauform - Transistor: TO-247AC, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF300P227 nach Preis ab 5.39 EUR bis 12.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF300P227 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 300V 50A TO247ACPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 313W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 270µA Supplier Device Package: PG-TO247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4893 pF @ 50 V |
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IRF300P227 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs IFX OPTIMOS |
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IRF300P227 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF300P227 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 50 A, 0.033 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 313W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 463 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF300P227 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
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IRF300P227 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Case: TO247AC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 313W Gate charge: 107nC Technology: StrongIRFET™ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Drain current: 35A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF300P227 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; StrongIRFET™; unipolar; 300V; 35A; 313W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Case: TO247AC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 313W Gate charge: 107nC Technology: StrongIRFET™ Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Drain current: 35A |
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