IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 110A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 110A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 30+ | 2.43 EUR |
| 47+ | 1.53 EUR |
| 60+ | 1.21 EUR |
| 100+ | 1.1 EUR |
| 250+ | 0.96 EUR |
| 500+ | 0.88 EUR |
| 800+ | 0.82 EUR |
| 1600+ | 0.74 EUR |
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Technische Details IRF3205STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 110A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF3205STRLPBF nach Preis ab 0.83 EUR bis 3.89 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 2885 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
auf Bestellung 735 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 110A 8mOhm 97.3nC |
auf Bestellung 7403 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3205STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 110 A, 8000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 110A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1393 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3205STRLPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF3205STRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF3205STRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 110 А, Ptot, Вт = 200, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 3247 @ 25, Qg, нКл = 146 @ 10 В, Rds = 8 мОм @ 62 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF3205STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 62A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 146 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3247 pF @ 25 V |
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