IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF3415STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm.
Weitere Produktangebote IRF3415STRLPBF nach Preis ab 1.03 EUR bis 5.04 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 43A 42mOhm 133.3nC |
auf Bestellung 3325 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 53 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3415STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 43 A, 0.042 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm |
auf Bestellung 1373 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 43A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 43A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V |
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IRF3415STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 43A; 200W; TO262 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 43A Power dissipation: 200W Case: TO262 Mounting: THT Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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