Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF3710STRLPBF
IRF3710STRLPBF

IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
800+1.21 EUR
1600+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF3710STRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF3710STRLPBF nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.68 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
1600+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 57A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
41+1.76 EUR
85+0.85 EUR
90+0.80 EUR
Mindestbestellmenge: 41
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
289+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 289
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2888 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
50+2.97 EUR
77+1.87 EUR
100+1.69 EUR
200+1.37 EUR
500+1.27 EUR
800+0.94 EUR
1600+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 50
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 12177 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
6+3.29 EUR
10+2.22 EUR
100+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 6
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN-3363041.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 45712 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+3.68 EUR
10+2.39 EUR
100+1.85 EUR
250+1.76 EUR
500+1.33 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 308 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF
Produktcode: 191831
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf3710s-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH