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IRF3710STRLPBF

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Produktcode: 191831
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.44 EUR
2400+2.19 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3710spbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+3.06 EUR
41+2.09 EUR
50+1.75 EUR
100+1.63 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
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194+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
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194+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.59 EUR
250+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+4.96 EUR
55+3.13 EUR
100+2.34 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
35+5 EUR
54+3.08 EUR
100+2.27 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 8876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.39 EUR
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF Infineon Technologies irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 10970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.91 EUR
10+4.51 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF3710STRLPBF IRF3710STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
28+9.25 EUR
42+5.62 EUR
54+3.99 EUR
100+3.59 EUR
250+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF3710STRLPBF International Rectifier irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949 MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 10400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.44 EUR
2400+2.19 EUR
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IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 11200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 200W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 57A
auf Bestellung 460 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+3.06 EUR
41+2.09 EUR
50+1.75 EUR
100+1.63 EUR
250+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 316 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 347 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+3.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
194+3.33 EUR
500+2.96 EUR
1000+2.68 EUR
10000+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 194 Stücke
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IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.59 EUR
250+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+4.96 EUR
55+3.13 EUR
100+2.34 EUR
500+1.81 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1898 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
35+5 EUR
54+3.08 EUR
100+2.27 EUR
500+1.73 EUR
Mindestbestellmenge: 35 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF Infineon_IRF3710S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC
auf Bestellung 8876 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.78 EUR
10+4.44 EUR
100+3.09 EUR
500+2.39 EUR
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
IRF3710STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
auf Bestellung 10970 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.91 EUR
10+4.51 EUR
50+3.49 EUR
100+3.15 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3710STRLPBF INFN-S-A0012837841-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF3710STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
auf Bestellung 1998 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
28+9.25 EUR
42+5.62 EUR
54+3.99 EUR
100+3.59 EUR
250+3.53 EUR
Mindestbestellmenge: 28 Stücke
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IRF3710STRLPBF irf3710spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355df9dff1949
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Транзистори
auf Bestellung 25 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.98 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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