IRF3710STRLPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 800+ | 1.62 EUR |
| 1600+ | 1.5 EUR |
| 2400+ | 1.44 EUR |
| 4000+ | 1.38 EUR |
| 5600+ | 1.34 EUR |
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Technische Details IRF3710STRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRF3710STRLPBF nach Preis ab 0.89 EUR bis 4.73 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 347 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 316 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 298 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 57A; 200W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 57A Power dissipation: 200W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Kind of package: reel |
auf Bestellung 814 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC |
auf Bestellung 15854 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8451 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF3710STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 57 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 655 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3710STRLPBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
IRF3710STRLPBF |
auf Bestellung 741 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF3710STRLPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
auf Bestellung 25 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF3710STRLPBF Produktcode: 191831
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRF3710STRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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