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IRF3717PBF

IRF3717PBF

IRF3717PBF.pdf
Produktcode: 26533
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0044
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
JHGF: SMD
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Technische Details IRF3717PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:20V
  • On State Resistance:0.0044ohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:20A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF3717PBF
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRF3717PBF IRF3717PBF Hersteller : Infineon Technologies IRF3717PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
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