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IRF3717PBF

IRF3717PBF

IRF3717PBF.pdf
Produktcode: 26533
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 20
Rds(on), Ohm: 0.0044
Ciss, pF/Qg, nC: 2890/22
JHGF: SMD
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Technische Details IRF3717PBF IR

  • MOSFET, N, LOGIC, SO-8
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:20V
  • On State Resistance:0.0044ohm
  • Power Dissipation:2.5W
  • Transistor Case Style:SOIC
  • No. of Pins:8
  • Case Style:SOIC
  • Cont Current Id:20A
  • Current Temperature:25`C
  • External Depth:5.2mm
  • External Length / Height:1.75mm
  • External Width:4.05mm
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • No. of Transistors:1
  • Power Dissipation Pd:2.5W
  • Pulse Current Idm:160A
  • Row Pitch:6.3mm
  • SMD Marking:IRF3717PBF
  • Termination Type:SMD
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:20V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF3717PBF IRF3717PBF Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS irf3717pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355dfd289195d Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF3717PBF - IRF3717 - N CHANNEL MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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IRF3717PBF IRF3717PBF Hersteller : Infineon Technologies IRF3717PbF.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 20A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2890 pF @ 10 V
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IRF3717PBF IRF3717PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF3717_DataSheet_v01_01_EN-1732439.pdf MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.4mOhms 22nC
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