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IRF3808STRLPBF

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Produktcode: 148871
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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250+2.33 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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70+2.52 EUR
71+2.32 EUR
100+2.23 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
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65+2.74 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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800+2.83 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies infineonirf3808sdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
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800+3.18 EUR
1600+2.84 EUR
2400+2.69 EUR
4000+2.52 EUR
5600+2.42 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+5.18 EUR
21+4.19 EUR
24+3.69 EUR
28+3.15 EUR
50+2.8 EUR
100+2.5 EUR
125+2.42 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1451 Stücke:
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1+8.35 EUR
10+5.49 EUR
100+3.97 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.81 EUR
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF Infineon Technologies irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3808STRLPBF IRF3808STRLPBF INFINEON 1915327.pdf Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3808STRLPBF International Rectifier HiRel Products irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc IRF3808STRLPBF
auf Bestellung 300 Stücke:
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221+2.99 EUR
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
800+2.45 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
71+2.46 EUR
100+2.39 EUR
250+2.33 EUR
Mindestbestellmenge: 71 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 476 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
70+2.52 EUR
71+2.32 EUR
100+2.23 EUR
250+2.12 EUR
Mindestbestellmenge: 70 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
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800+2.71 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 795 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.74 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.83 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 75V 106A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 17600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.18 EUR
1600+2.84 EUR
2400+2.69 EUR
4000+2.52 EUR
5600+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.22 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 550A; 200W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 550A
Power dissipation: 200W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 380 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+5.18 EUR
21+4.19 EUR
24+3.69 EUR
28+3.15 EUR
50+2.8 EUR
100+2.5 EUR
125+2.42 EUR
250+2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF Infineon-IRF3808S-DataSheet-v01_01-EN.pdf
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 75V 105A 7mOhm 150nC
auf Bestellung 1451 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.35 EUR
10+5.49 EUR
100+3.97 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.81 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
IRF3808STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 106A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 82A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5310 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
auf Bestellung 1164 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.95 EUR
10+5.88 EUR
100+4.13 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF3808STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF3808STRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 106 A, 7000 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 2614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF3808STRLPBF irf3808spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3bcef29bc
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF3808STRLPBF
auf Bestellung 300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
221+2.99 EUR
Mindestbestellmenge: 221 Stücke
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