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Technische Details IRF40H233ATMA1 Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 40V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA, Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4.
Weitere Produktangebote IRF40H233ATMA1 nach Preis ab 0.91 EUR bis 1.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||
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IRF40H233ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
 N-Channel Power MOSFET |
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IRF40H233ATMA1 | Hersteller : ROCHESTER ELECTRONICS |
Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRF40H233ATMA1 - IRF40H233 - TRENCH < 40V tariffCode: 85423990 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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| IRF40H233ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET-StrongIRFET |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF40H233ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 40V 65A 8TDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W (Ta), 50W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 35A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-4 |
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| IRF40H233ATMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET TRENCH <= 40V |
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