IRF40R207 Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.44 EUR |
| 4000+ | 0.42 EUR |
| 6000+ | 0.41 EUR |
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Technische Details IRF40R207 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 83W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF40R207 nach Preis ab 0.37 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 1577 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 64A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 64A Power dissipation: 83W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.1mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 45nC |
auf Bestellung 1577 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8329 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
auf Bestellung 4131 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 742 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF40R207 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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