Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF40R207
IRF40R207

IRF40R207 Infineon Technologies

irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF40R207 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 90A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 83W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm.

Weitere Produktangebote IRF40R207 nach Preis ab 0.58 EUR bis 2.77 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies infineonirf40r207datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
915+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies infineonirf40r207datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
101+1.73 EUR
135+1.27 EUR
200+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies Infineon_IRF40R207_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 Infineon Technologies irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975 Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 7734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 IRF40R207 INFINEON 2354729.pdf Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+2.77 EUR
140+1.67 EUR
211+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 infineonirf40r207datasheetv0101en.pdf
IRF40R207
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2350 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
915+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 915 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 infineonirf40r207datasheetv0101en.pdf
IRF40R207
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 90A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
101+1.73 EUR
135+1.27 EUR
200+0.84 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 101 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 Infineon_IRF40R207_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF40R207
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 306 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.23 EUR
10+1.39 EUR
100+0.92 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 irf40r207.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e308f41975
IRF40R207
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 56A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 55A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
auf Bestellung 7734 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.4 EUR
14+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF40R207 2354729.pdf
IRF40R207
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF40R207 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 40 V, 90 A, 5100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 83W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
auf Bestellung 1126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+2.77 EUR
140+1.67 EUR
211+1.02 EUR
500+0.8 EUR
1000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH