IRF4104PBF

IRF4104PBF Infineon Technologies


infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF4104PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm.

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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf4104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf4104.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies irf4104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3193d1979 Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF4104_DataSheet_v01_01_EN-3362905.pdf MOSFET MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : INFINEON 2043160.pdf Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
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IRF4104PBF IRF4104PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf4104-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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