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IRF4104PBF

IRF4104PBF Infineon Technologies

infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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Technische Details IRF4104PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineonirf4104datasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF4104PBF IRF4104PBF Infineon Technologies infineon_irf4104_datasheet_en.pdf description MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg
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IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON 2043160.pdf description Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF4104PBF IRF4104PBF INFINEON TECHNOLOGIES irf4104.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF4104PBF description infineonirf4104datasheetv0101en.pdf
IRF4104PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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500+1.64 EUR
Mindestbestellmenge: 352 Stücke
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IRF4104PBF
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IRF4104PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 5500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
Power dissipation: 140W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 68nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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