IRF4104PBF Infineon Technologies
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| 1000+ | 1.02 EUR |
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Technische Details IRF4104PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 75A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF4104PBF nach Preis ab 1.04 EUR bis 3.58 EUR
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 40V 120A 5.5mOhm 68nC Qg |
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IRF4104PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 68nC Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF4104PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 120A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 120A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.5mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Kind of package: tube Gate charge: 68nC |
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IRF4104PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF4104PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.0043 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRF4104PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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