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| 189+ | 0.79 EUR |
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Technische Details IRF510SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 43W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF510SPBF nach Preis ab 0.52 EUR bis 2.35 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1755 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF510SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 4A; Idm: 20A; 43W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4A Power dissipation: 43W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.54Ω Mounting: SMD Gate charge: 8.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 20A |
auf Bestellung 680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 100V 5.6 Amp |
auf Bestellung 7378 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 25 V |
auf Bestellung 18157 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1767 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF510SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 5.6 A, 0.54 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 1822 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 17 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF510SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 100V 5.6A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
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