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IRF5210STRLPBF

irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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1600+2.42 EUR
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
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800+2.57 EUR
1600+2.48 EUR
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+2.71 EUR
1600+2.53 EUR
2400+2.44 EUR
4000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5210spbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
20+4.36 EUR
24+3.57 EUR
27+3.18 EUR
31+2.76 EUR
100+2.28 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
44+3.76 EUR
50+3.57 EUR
100+2.77 EUR
250+2.63 EUR
500+2.03 EUR
1600+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+5.95 EUR
44+3.9 EUR
50+3.77 EUR
100+3 EUR
250+2.93 EUR
500+2.32 EUR
1600+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.19 EUR
39+4.37 EUR
40+4.15 EUR
100+3.08 EUR
250+2.93 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf7749l1pbf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+7.19 EUR
39+4.46 EUR
40+4.32 EUR
100+3.25 EUR
250+3.18 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies irf5210spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e35f77198e Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+7.54 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+8.27 EUR
10+5.21 EUR
100+4.06 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.76 EUR
4800+2.53 EUR
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF5210STRLPBF IRF5210STRLPBF INFINEON INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.57 EUR
1600+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 81600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.57 EUR
1600+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.69 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+2.71 EUR
1600+2.53 EUR
2400+2.44 EUR
4000+2.38 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRF5210STRLPBF irf5210spbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -40A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -40A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 604 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
20+4.36 EUR
24+3.57 EUR
27+3.18 EUR
31+2.76 EUR
100+2.28 EUR
500+2.11 EUR
Mindestbestellmenge: 20 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.95 EUR
44+3.76 EUR
50+3.57 EUR
100+2.77 EUR
250+2.63 EUR
500+2.03 EUR
1600+1.99 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 6032 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+5.95 EUR
44+3.9 EUR
50+3.77 EUR
100+3 EUR
250+2.93 EUR
500+2.32 EUR
1600+2.26 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF irf7749l1pbf.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.19 EUR
39+4.37 EUR
40+4.15 EUR
100+3.08 EUR
250+2.93 EUR
500+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 100V 38A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 627 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25+7.19 EUR
39+4.46 EUR
40+4.32 EUR
100+3.25 EUR
250+3.18 EUR
500+2.49 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 100V 38A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 25 V
auf Bestellung 5495 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+7.54 EUR
10+4.96 EUR
100+3.49 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF Infineon_IRF5210S_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5210STRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT PCh -100V -0.4A 60mOhm 120nC
auf Bestellung 23000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+8.27 EUR
10+5.21 EUR
100+4.06 EUR
500+3.22 EUR
800+2.89 EUR
2400+2.76 EUR
4800+2.53 EUR
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IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18047 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5210STRLPBF INFN-S-A0012837963-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5210STRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5210STRLPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 3.8W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 18230 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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220nF 100V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B224K101N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 11363
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
X7R_X5R.pdf
220nF 100V X7R 10% 0805 3k/reel (C0805B224K101N3-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 220 nF
Nennspannung: 100 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Größentyp: 0805
HS-Code: 8532 24 00 00
auf Bestellung 1718 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.14 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.065 EUR
10000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 8516
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
10 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-10KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 40000 St.
  • 40000 St. - erwartet 10.08.2026
AnzahlPrivatkunde
10+0.0033 EUR
100+0.0019 EUR
1000+0.0011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4604
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RC_series.pdf
100 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-100KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 100 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 20900 St.
  • 1100 St. - stock Köln
  • 19800 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
100+0.004 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
51,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-51K1-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 4309
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rc_series_hitano-datasheet.pdf
51,1 kOhm 1% 0,1W 50V 0603 (RC0603FR-51K1-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0603
Nennwert: 51,1 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,1 W
U Betrieb, V: 50 V
Bauform: 0603
verfügbar: 22845 St.
  • 1200 St. - stock Köln
  • 21645 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.0033 EUR
100+0.0019 EUR
1000+0.0011 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3689
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RC_series.pdf
10 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-10KR) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 10 kOhm
Toleranz: ±1% F
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
verfügbar: 47785 St.
  • 185 St. - stock Köln
  • 47600 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
AnzahlPrivatkunde
10+0.006 EUR
100+0.004 EUR
1000+0.0033 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH