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IRF5305SPBF

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Produktcode: 37024
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Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,06 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 1200/63
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF5305SPBF IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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JSMICRO irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
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IRF5305SPBF International Rectifier irf5305spbf.pdf P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
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IRF5305SPBF International Rectifier/Infineon irf5305spbf.pdf P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
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IRF5305SPBF IRF5305SPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRF5305SPBF IRF5305SPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
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IRF5305SPBF Infineon Technologies irf5305spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e378101995 Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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 Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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IRF5305SPBF
Produktcode: 185643
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IRF5305SPBF
Hersteller: JSMICRO
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: D2Pak
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 В
Drain-Strom Id, A: 31 А
Montage: SMD
auf Bestellung: 10 St.
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Hersteller: International Rectifier
P-кан. MOSFET -55V, -31A, 0.06Ом, 110Вт, D2PAK, TO-263 (SMD) Транзистори
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 31 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1200 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 60 мОм @ 16 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
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IRF5305SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
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IRF5305SPBF irf5305spbf.pdf
IRF5305SPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 1 P-CH -55V HEXFET 60mOhms 42nC
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 55V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRF4905PBF
Produktcode: 22366
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IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1323 St.
  • 1323 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.55 EUR
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BZX85-C5V6
Produktcode: 22027
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BZX85C.pdf
BZX85-C5V6
Hersteller: Vishay/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 5,6 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 45 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
auf Bestellung: 814 St.
  • 814 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
15+0.082 EUR
100+0.07 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
PC817A
Produktcode: 18418
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pc817a.pdf
PC817A
Hersteller: Sharp
IC > Optokoppler (Optrone)
Gehäuse: DIP-4
Typ: Transistor
Isolationsspannung Uisol, kV: 5 kV
Strom ein/aus Iein/Iaus, mA: 50/50 mA
Ausgangsspannung Uausg, V: 35 V
Ein-/Ausschaltzeit Ton/Toff, µs: 18/18 µs
Betriebstemperatur, °C: -30…+100°С
Kanalanzahl: 8542 39 90 00
auf Bestellung: 4072 St.
  • 4072 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+0.3 EUR
10+0.17 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BZX85-C9V1
Produktcode: 18217
1 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
BZX85C.pdf
BZX85-C9V1
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Zenerdioden
Gehäuse: DO-41
Stabilisierungsspannung Vz, V: 9,1 V
Stabilisierungsstrom Izt, mA: 25 mA
Verlustleistung Pd, W: 1 W
Montage: THT
Temperaturkoeffizient: -
auf Bestellung: 737 St.
  • 737 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.098 EUR
18+0.067 EUR
100+0.051 EUR
1000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 13 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BD140 (КТ814Г)
Produktcode: 15292
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BD136,138,140.pdf
BD140 (КТ814Г)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: TO-126
Grenzfrequenz fT, MHz: 160 MHz
Spannung Uce, V: 80 V
Spannung Ucb, V: 100 V
Strom Ic, A: 1,5 A
Stromverstärkung h21, max: 250
verfügbar: 104 St.
  • 104 St. - stock Köln
auf Bestellung: 1174 St.
  • 1174 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.19 EUR
10+0.18 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 7 St.
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