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IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

irf530nspbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRF530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 70W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 7200 Stücke:
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800+1.03 EUR
1600+0.95 EUR
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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95+1.51 EUR
97+1.43 EUR
133+1 EUR
250+0.95 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 95
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
auf Bestellung 1438 Stücke:
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46+1.56 EUR
66+1.09 EUR
100+0.77 EUR
250+0.65 EUR
500+0.55 EUR
800+0.53 EUR
Mindestbestellmenge: 46
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1400 Stücke:
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91+1.57 EUR
100+1.45 EUR
250+1.34 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.15 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1544 Stücke:
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67+2.16 EUR
95+1.46 EUR
97+1.38 EUR
133+0.96 EUR
250+0.91 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 67
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF530NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 17A 90mOhm 24.7nC
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10+1.94 EUR
100+1.3 EUR
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irf530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e38eb4199c Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
auf Bestellung 7230 Stücke:
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5+3.57 EUR
10+2.29 EUR
100+1.55 EUR
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
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IRF530NSTRLPBF IRF530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826255-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.09 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 1632 Stücke:
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IRF530NSTRLPBF
Produktcode: 144837
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