
IRF530SPBF VISHAY

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 56A
Gate charge: 26nC
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
auf Bestellung 418 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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71+ | 1.02 EUR |
86+ | 0.83 EUR |
125+ | 0.57 EUR |
132+ | 0.54 EUR |
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Technische Details IRF530SPBF VISHAY
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF530SPBF nach Preis ab 0.54 EUR bis 1.83 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRF530SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 88W Case: D2PAK; TO263 Mounting: SMD Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 56A Gate charge: 26nC Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.16Ω Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 418 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 133 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
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auf Bestellung 300 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF530SPBF | Hersteller : VISHAY |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 88W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 723 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay |
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auf Bestellung 952 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay |
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Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF530SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V |
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