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IRF530SPBF

IRF530SPBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 472 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
71+1.02 EUR
100+0.96 EUR
250+0.89 EUR
500+0.84 EUR
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Technische Details IRF530SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 88W, Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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IRF530SPBF IRF530SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B3880C315E20C7&compId=irf530s.pdf?ci_sign=25cc28147d53b50073ee07f93d752633e09927be Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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IRF530SPBF IRF530SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihf530s.pdf MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
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Mindestbestellmenge: 2
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IRF530SPBF IRF530SPBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0011126094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRF530SPBF IRF530SPBF Hersteller : Vishay sihf530s.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF530SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf530s.pdf HEXFET Power MOSFET, 100V, 14A, 0,16 Ohm, D2PAK=TO-263
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IRF530SPBF IRF530SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihf530s.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 14A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 8.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
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