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IRF530SPBF

IRF530SPBF Vishay

sihf530s.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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Technische Details IRF530SPBF Vishay

Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 88W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY irf530s.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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32+2.7 EUR
48+1.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 32 Stücke
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IRF530SPBF IRF530SPBF Vishay sihf530s.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
auf Bestellung 133 Stücke:
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46+3.87 EUR
100+1.75 EUR
102+1.67 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRF530SPBF IRF530SPBF Vishay sihf530s.pdf description Trans MOSFET N-CH 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF530SPBF IRF530SPBF Vishay Semiconductors sihf530s.pdf description MOSFETs TO263 100V 14A N-CH MOSFET
auf Bestellung 1848 Stücke:
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1+5.05 EUR
10+2.39 EUR
100+2.14 EUR
500+1.82 EUR
1000+1.61 EUR
2000+1.46 EUR
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IRF530SPBF IRF530SPBF VISHAY VISH-S-A0011126094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
auf Bestellung 135 Stücke:
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43+5.84 EUR
88+2.64 EUR
105+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF530SPBF
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Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; Idm: 56A; 88W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.16Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: tube
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IRF530SPBF description VISH-S-A0011126094-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF530SPBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF530SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14 A, 0.16 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16ohm
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