IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.26 EUR |
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit:
14-21 Tag (e)
Mindestmenge:
800 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRF540NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF540NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 33 A, 0.044 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 33A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 130W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm.
Weitere Produktangebote IRF540NSTRLPBF nach Preis ab 1.31 EUR bis 5.63 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 40800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 40800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 42400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 434 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||
 |
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC |
auf Bestellung 6338 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
|
|
IRF540NSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V |
auf Bestellung 42674 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||
| IRF540NSTRLPBF | International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
verfügbar 360 Stücke: |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |||||||||
| IRF540NSTRLPBF |
IRF540NSTRLPBF Транзисторы |
auf Bestellung 1092 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.31 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 40800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.31 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.39 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 42400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 800+ | 1.9 EUR |
| 2400+ | 1.69 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 434 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 278+ | 2.4 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.65 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 33A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 49+ | 3.65 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
MOSFETs MOSFT 100V 33A 44mOhm 47.3nC
auf Bestellung 6338 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.3 EUR |
| 10+ | 3.01 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.65 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1960 pF @ 25 V
auf Bestellung 42674 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 5.63 EUR |
| 10+ | 3.64 EUR |
| 50+ | 2.77 EUR |
| 100+ | 2.5 EUR |
| IRF540NSTRLPBF |
|
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 33 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 1960 @ 25, Qg, нКл = 71 @ 10 В, Rds = 44 мОм @ 16 А, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 130, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TO-263-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 360 Stücke:
| IRF540NSTRLPBF |
|
IRF540NSTRLPBF Транзисторы
auf Bestellung 1092 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)