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IRF5801TRPBF

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Produktcode: 29370
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Hersteller: IR
Gehäuse: TSOP-6
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 0,6 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 2,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 88/3,9
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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6000+0.24 EUR
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6000+0.25 EUR
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
433+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
232+0.76 EUR
360+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
97+0.88 EUR
117+0.73 EUR
136+0.63 EUR
199+0.43 EUR
234+0.37 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
143+1.24 EUR
232+0.74 EUR
360+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
auf Bestellung 19087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 157 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF5801TRPBF infineon-irf5801-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2368+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2368 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2368+0.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2368 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.24 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.27 EUR
6000+0.23 EUR
12000+0.21 EUR
18000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.25 EUR
9000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.29 EUR
6000+0.21 EUR
12000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.31 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 18825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
433+0.4 EUR
Mindestbestellmenge: 433 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
232+0.76 EUR
360+0.48 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.31 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.21 EUR
9000+0.2 EUR
Mindestbestellmenge: 232 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 0.6A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
97+0.88 EUR
117+0.73 EUR
136+0.63 EUR
199+0.43 EUR
234+0.37 EUR
500+0.26 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 97 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
143+1.24 EUR
232+0.74 EUR
360+0.45 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.29 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 143 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 5418 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+1.36 EUR
25+0.84 EUR
100+0.54 EUR
500+0.4 EUR
1000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
auf Bestellung 19087 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+1.55 EUR
10+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.46 EUR
1000+0.42 EUR
3000+0.36 EUR
6000+0.33 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 158 Stücke
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IRF5801TRPBF IRSDS11027-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF5801TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF5801TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 600 mA, 2.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
auf Bestellung 2714 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
158+1.58 EUR
267+0.87 EUR
393+0.55 EUR
516+0.42 EUR
1500+0.37 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF5801TRPBF infineonirf5801datasheetv0101en.pdf
IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 157 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH