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IRF5801TRPBF

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Produktcode: 29370
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Hersteller: IR
Gehäuse: TSOP-6
Uds,V: 200
Idd,A: 01.06.2000
Rds(on), Ohm: 02.02.2015
Ciss, pF/Qg, nC: 09.03.1988
JHGF: SMD
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1+0.42 EUR
10+0.39 EUR
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2368+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2368 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies infineonirf5801datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 15000 Stücke:
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3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
9000+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
255+0.57 EUR
375+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
6000+0.18 EUR
9000+0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 255 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf5801pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1194 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
105+0.69 EUR
127+0.56 EUR
145+0.49 EUR
205+0.35 EUR
240+0.3 EUR
500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 105 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies irf5801pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3be0919ac Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF5801TRPBF IRF5801TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF5801_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
auf Bestellung 11176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+1.11 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2368+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 2368 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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2368+0.23 EUR
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.23 EUR
6000+0.2 EUR
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
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Anzahl Preis
3000+0.24 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 15825 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
255+0.57 EUR
375+0.38 EUR
500+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
3000+0.21 EUR
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 0.6A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 0.6A
Power dissipation: 2W
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
105+0.69 EUR
127+0.56 EUR
145+0.49 EUR
205+0.35 EUR
240+0.3 EUR
500+0.21 EUR
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 200V 600MA MICRO6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 360mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 3865 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
17+1.06 EUR
27+0.65 EUR
100+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 200V 0.6A 2200mOhm 3.9nC
auf Bestellung 11176 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3+1.11 EUR
10+0.68 EUR
100+0.44 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.3 EUR
3000+0.25 EUR
6000+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRF5801TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
auf Bestellung 487 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Trans MOSFET N-CH 200V 0.6A 6-Pin TSOP T/R
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