IRF5802TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF5802TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF5802TRPBF nach Preis ab 0.19 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 0.9A Power dissipation: 2W Case: TSOP6 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
auf Bestellung 2970 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 1390 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
auf Bestellung 6990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC |
auf Bestellung 32267 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
auf Bestellung 3285 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 900mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: TSOP Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF5802TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 900 мА; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА; TSOP-6 |
auf Bestellung 724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF5802TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V |
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