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IRF5802TRPBF

IRF5802TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf5802-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
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Technische Details IRF5802TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 900mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: TSOP, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F65CA91D160F1A303005056AB0C4F&compId=irf5802pbf.pdf?ci_sign=fc0c972f70c588d11a57b7d4ca5bf38e2b7f9fb6 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
117+0.61 EUR
170+0.42 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 0.9A; 2W; TSOP6
Case: TSOP6
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 2W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 0.9A
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF5802_DataSheet_v01_01_EN-3362886.pdf MOSFETs MOSFT 150V 0.9A 1200mOhm 4.5nC
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro6™(TSOP-6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11106-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF5802TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 900 mA, 1.2 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 900mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf5802-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 150V 0.9A 6-Pin TSOP T/R
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IRF5802TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 N-канальний ПТ; Udss, В = 150; Id = 900 мА; Ptot, Вт = 2; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 88 @ 25; Qg, нКл = 6,8 @ 10 В; Rds = 1,2 Ом @ 540 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА; TSOP-6
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IRF5802TRPBF IRF5802TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf5802pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e3d4d319b2 Description: MOSFET N-CH 150V 900MA MICRO6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 540mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
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Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 25 V
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