IRF60DM206 International Rectifier
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
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Technische Details IRF60DM206 International Rectifier
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm.
Weitere Produktangebote IRF60DM206 nach Preis ab 2.03 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF60DM206 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
auf Bestellung 8173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF60DM206 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm |
auf Bestellung 8173 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 10908 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 15944 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 12028 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60DM206 | International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 11628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF60DM206 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
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Bauform - Transistor: DirectFET ME
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
auf Bestellung 8173 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF60DM206 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
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productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2900 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
euEccn: NLR
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Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRF60DM206 |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 10908 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 188+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 10000+ | 2.03 EUR |
| IRF60DM206 |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
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| Anzahl | Preis |
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| 188+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 10000+ | 2.03 EUR |
| IRF60DM206 |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
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| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 10000+ | 2.03 EUR |
| IRF60DM206 |
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
auf Bestellung 11628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 188+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 10000+ | 2.03 EUR |