IRF60DM206 Infineon Technologies
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Technische Details IRF60DM206 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 3 - 168 Stunden, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF60DM206 nach Preis ab 3.28 EUR bis 6.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
 MOSFET 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og |
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IRF60DM206 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206 - Leistungs-MOSFET, StrongIRFET™, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0029 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF60DM206 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 130A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
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