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IRF60DM206ATMA1 INFINEON

Name: IRF60DM206ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 14309959-4
Price: 10464 EUR
Availability: BackOrder

INFN-S-A0012826622-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

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Technische Details IRF60DM206ATMA1 INFINEON

Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: DirectFET ME, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : INFINEON	Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 0.0022 ohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: DirectFET ME Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)	auf Bestellung 3096 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: FET N-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	Description: FET N-CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
IRF60DM206ATMA1	Hersteller : Infineon Technologies	MOSFETs 60V, 130A, DirectFET 2.9mOhm, 133nC Og	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH