IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 188+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| 10000+ | 2.03 EUR |
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Technische Details IRF60DM206ATMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 130A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Verlustleistung Pd: 96W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025), Bauform - Transistor: DirectFET ME, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm.
Weitere Produktangebote IRF60DM206ATMA1 nach Preis ab 2.03 EUR bis 2.92 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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IRF60DM206ATMA1 | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 9971 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60DM206ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 11770 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60DM206ATMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R |
auf Bestellung 1201 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF60DM206ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DirectFET ME Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||
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IRF60DM206ATMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 96W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: DirectFET ME Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: StrongIRFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm |
auf Bestellung 1897 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF60DM206ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
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auf Bestellung 9971 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 188+ | 2.92 EUR |
| 500+ | 2.59 EUR |
| 1000+ | 2.34 EUR |
| IRF60DM206ATMA1 |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
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Trans MOSFET N-CH 60V 130A 10-Pin Direct-FET ME T/R
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| IRF60DM206ATMA1 |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 96W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 96W
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Bauform - Transistor: DirectFET ME
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Produktpalette: StrongIRFET Series
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
Description: INFINEON - IRF60DM206ATMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 130 A, 2200 µohm, DirectFET ME, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET ME
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET Series
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Wandlerpolarität: n-Kanal
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2200µohm
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