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IRF620

IRF620

irf620.pdf IRF620.pdf
Produktcode: 7923
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 5
Rds(on), Ohm: 01.08.2000
JHGF: THT
verfügbar 12 Stück:
Anzahl Preis
1+0.48 EUR
10+0.37 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF620 IRF620 Hersteller : Vishay sihf620.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF620 IRF620 Hersteller : STMicroelectronics 3005.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF620 IRF620 Hersteller : Vishay Siliconix irf620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
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IRF620 IRF620 Hersteller : STMicroelectronics IRF620.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
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