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Technische Details IRF620PBF Vishay
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 50W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm, SVHC: Lead (07-Nov-2024).
Weitere Produktangebote IRF620PBF nach Preis ab 0.49 EUR bis 1.57 EUR
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF620PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF620PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.2A; Idm: 18A; 50W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5.2A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 14nC Kind of package: tube |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 5.2A N-CH MOSFET |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V |
auf Bestellung 567 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF620PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
auf Bestellung 355 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 250 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF620PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
N-кан. MOSFET 200V, 6A, 0.6Ом, 70Вт, TO-220 (PowerMesh II) |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF620PBF Produktcode: 102083
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Transistoren > MOSFET N-CH ZCODE: 8541290010 |
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IRF620PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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