IRF620SPBF Vishay Siliconix
Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5+ | 5.02 EUR |
| 50+ | 2.48 EUR |
| 100+ | 2.24 EUR |
| 500+ | 1.8 EUR |
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Technische Details IRF620SPBF Vishay Siliconix
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 5.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 50W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm.
Weitere Produktangebote IRF620SPBF nach Preis ab 1.73 EUR bis 5.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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IRF620SPBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 3089 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF620SPBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 5.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRF620SPBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
MOSFETs TO263 200V 5.2A N-CH MOSFET
auf Bestellung 3089 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.34 EUR |
| 10+ | 2.64 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.95 EUR |
| 1000+ | 1.76 EUR |
| 2000+ | 1.73 EUR |
| IRF620SPBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
Description: VISHAY - IRF620SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.2 A, 0.8 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.2A
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Qualifikation: -
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 50W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.8ohm
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)