IRF6216TRPBF

IRF6216TRPBF Infineon Technologies


infineon-irf6216-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF6216TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V.

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IRF6216TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7 MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-SOIC
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IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6216pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
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IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7 Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
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IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6216pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e4623c19d7 Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
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IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF6216_DataSheet_v01_01_EN-1228257.pdf MOSFET MOSFT PCh -150V -2.2A 240mOhm 33nC
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IRF6216TRPBF IRF6216TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6216pbf.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -150V; -2.2A; 2.5W; SO8
Kind of channel: enhancement
Mounting: SMD
Case: SO8
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -2.2A
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 2.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel
Technology: HEXFET®
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