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IRF630NPBF

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Produktcode: 15961
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 9,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,3 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 575/35
Montage: THT
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Technische Details IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630NPBF IRF630NPBF Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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IRF630NPBF
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MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
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IRF630NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 82W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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LM324N
Produktcode: 162910
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LM324N
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Versorgungsspannung Vc, V: 32 В
Bandbreite BW, MHz: 1,2 МГц
Offsetspannung Vio, mV: 5 мВ
Anstiegsrate, V/µs: 1 В/µs
Temperaturbereich: 0...+70°С
Anzahl Kanäle: 4
Montage: THT
auf Bestellung: 194 St.
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Funktion und Eigenschaften: PWM-Controller
Eingangsspannung, V: 8,2...30 V
Ausgangsstrom Iout, A: 1 A
Frequenz Fosc, kHz: 500 kHz
Temperaturbereich: -40...+150°C
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BDX53C
Produktcode: 123175
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BDX53C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 100 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 100 В
Kollektorstrom Ic, A: 8 A
Bemerkung: Darlington
Montage: THT
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1N4148
Produktcode: 176824
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1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Sperrspannung Vrr, V: 100 В
Mittlerer Strom Iav, A: 0,15 А
Sperrverzögerungszeit Trr, ns: 8 ns
Montage: THT
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IRF520 (TO-220 ST)
Produktcode: 186775
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IRF520 (TO-220 ST)
Hersteller: ST
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 9,2 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,27 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 360/16
Montage: THT
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