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IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Produktcode: 15961
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
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Technische Details IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf630ndatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
65+1.1 EUR
116+0.62 EUR
132+0.54 EUR
141+0.51 EUR
149+0.48 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 65
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
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Mindestbestellmenge: 8
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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LM324N
Produktcode: 162910
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suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=http%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Flit%252Fgpn%252Flm224
LM324N
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-14
Vc, V: 32 V
BW, MHz: 1,2 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 5 mV
Geschw. Nar., V/mks: 1 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
ZCODE: 4
Монтаж: THT
auf Bestellung 347 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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UC3845BN
Produktcode: 4328
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CD00000966-105506.pdf
UC3845BN
Hersteller: ST
IC > IC Netzteile
Gehäuse: DIP-8
Eigenschaften: PWM Controllers
Spannung, eing., V: 8.2...30V
I-ausg., A: 1,0A
Fosc, kHz: 500
Temperaturbereich: -40...+150°C
auf Bestellung 587 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis
1+1.06 EUR
10+0.84 EUR
100+0.73 EUR
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BDX53C
Produktcode: 123175
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tbdx53c-datasheet.pdf
BDX53C
Hersteller: ST
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: TO-220
Uceo,V: 100 V
Ucbo,V: 100 V
Ic,A: 8 А
Bem.: Дарлінгтон
ZCODE: THT
auf Bestellung 35 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Produktcode: 153903
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EXR_080421.pdf
680uF 16V EXR 10x16mm (low imp.) (EXR681M16B-Hitano) (электролитический конденсатор низкоимпедансный)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 680 µF
Nennspannung: 16 V
Reihe: EXR
Temp.Bereich: низькоімпедансні
Abmessungen: -40...+105°C
Lebensdauer: 10х16mm
№ 8: 5000 годин
auf Bestellung 210 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 1000 Stück:
1000 Stück - erwartet
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
74HC164D
Produktcode: 1663
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description 74hc164d.pdf
74HC164D
Hersteller: TI
IC > IC Logik
Gehäuse: SO-14
Beschreibung: Register Verschiebung 8-Bit. Reihenschaltung Eingang, parallelAusgang
Analog 74хх: SMD
Analog RUS: ИР8
Strom.V: 2…6V
T°C: -40…+125°C
auf Bestellung 233 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
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