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IRF630NPBF

IRF630NPBF

irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6
Produktcode: 15961
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 09.03.2015
Rds(on), Ohm: 01.03.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 575/35
JHGF: THT
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Technische Details IRF630NPBF IR

  • MOSFET, N, 200V, 9.5A, TO-220
  • Transistor Type:MOSFET
  • Max Voltage Vds:200V
  • On State Resistance:0.3ohm
  • Power Dissipation:82W
  • Transistor Case Style:TO-220AB
  • No. of Pins:3
  • Case Style:TO-220AB
  • Cont Current Id:9.3A
  • Junction to Case Thermal Resistance A:1.83`C/W
  • Max Voltage Vgs th:4V
  • Power Dissipation Pd:82W
  • Pulse Current Idm:37A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Polarity:N
  • Typ Voltage Vds:200V
  • Typ Voltage Vgs th:4V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf630n.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 9.5A; 82W; TO220AB
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Drain current: 9.5A
Power dissipation: 82W
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Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.3Ω
Mounting: THT
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF630N_DataSheet_v01_01_EN-3362906.pdf MOSFET MOSFT 200V 9.5A 300mOhm 23.3nC
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 Description: MOSFET N-CH 200V 9.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF630NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9.3 A, 0.3 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 82W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
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IRF630NPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf630npbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e7ae3819e6 TO-220AB
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IRF630NPBF IRF630NPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf630n-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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1N4148
Produktcode: 176824		 1n4148-datasheet_do35.pdf
1N4148
Hersteller: ST
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Dioden superschnelle
Gehäuse: DO-35 (DO-204AH, SOD27)
Vrr, V: 100 V
Iav, A: 0,15 A
Trr, ns: 8 ns
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220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Produktcode: 15969		 ECR_081225.pdf
220uF 250V ECR 22x30mm (ECR221M2EB-Hitano) (Elektrolytkondensator)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 220uF
Nennspannung: 250V
Reihe: ECR
Temp.Bereich: -40...+85°C
Abmessungen: 22x30mm
Lebensdauer: 22х30mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 41 Stück
erwartet: 200 Stück
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10+ 0.84 EUR
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IRF820
Produktcode: 17799		 description IRF820.pdf
IRF820
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220AB
Uds,V: 500
Idd,A: 02.05.2015
Rds(on), Ohm: 3
Ciss, pF/Qg, nC: 360/24
JHGF: THT
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LM358P
Produktcode: 24924		 suppproductinfo.tsp?distId=10&gotoUrl=https%3A%2F%2Fwww.ti.com%2Flit%2Fgpn%2Flm358
LM358P
Hersteller: TI
IC > IC Operationsverstärker
Gehäuse: DIP-8-300
Vc, V: 3…32/±1,5…16V
BW, MHz: 0,7 MHz
Vio, mV(Biasspannung): 7 mV
Geschw. Nar., V/mks: 0,3 V/µs
Temperaturbereich: 0...+70°C
Bemerkungen: Zahl Kanäle: 2; Streifen, MHz: 0,7; dU/dt, V/mks: 0,3; Ucm, mV. 7; Nш, nV/VHz: 40; Verfügbarkeit R-to-R: -
ZCODE: 2
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NE555P IC Timer
Produktcode: 26138		 description
NE555P IC Timer
Hersteller: TI
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Gehäuse: DIP-8
Beschreibung: Timer 1 Ausgang; 4.5...16V; 500 kHz
Temperaturbereich: 0...+70°C
verfügbar: 2719 Stück
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