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IRF630PBF

IRF630PBF Vishay

irf630.pdf
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
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Technische Details IRF630PBF Vishay

Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 74W, SVHC: Lead (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF630PBF IRF630PBF VISHAY IRF630PBF.pdf description Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
auf Bestellung 155 Stücke:
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58+1.48 EUR
71+1.21 EUR
78+1.09 EUR
87+0.98 EUR
95+0.9 EUR
104+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 58 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
119+1.49 EUR
129+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
103+1.71 EUR
123+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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95+1.86 EUR
139+1.23 EUR
156+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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59+3.02 EUR
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay irf630.pdf description Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
50+3.52 EUR
103+1.64 EUR
123+1.33 EUR
Mindestbestellmenge: 50 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay Semiconductors irf630.pdf description MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.92 EUR
10+1.82 EUR
100+1.5 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.11 EUR
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IRF630PBF IRF630PBF Vishay Siliconix irf630.pdf description Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 3144 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.36 EUR
50+2.12 EUR
100+1.9 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF630PBF IRF630PBF VISHAY VISH-S-A0019271717-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1614 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF630PBF description IRF630PBF.pdf
IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
Pulsed drain current: 36A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
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58+1.48 EUR
71+1.21 EUR
78+1.09 EUR
87+0.98 EUR
95+0.9 EUR
104+0.82 EUR
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
119+1.49 EUR
129+1.34 EUR
Mindestbestellmenge: 119 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
103+1.71 EUR
123+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 103 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
95+1.86 EUR
139+1.23 EUR
156+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 95 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 105 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
50+3.52 EUR
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MOSFETs TO220 200V 9A N-CH MOSFET
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1+3.92 EUR
10+1.82 EUR
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 200V 9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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50+2.12 EUR
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500+1.52 EUR
1000+1.39 EUR
2000+1.3 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF630PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF630PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 9 A, 0.4 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 74W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
auf Bestellung 1614 Stücke:
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