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IRF630SPBF

IRF630SPBF VISHAY


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
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Technische Details IRF630SPBF VISHAY

Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.

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IRF630SPBF IRF630SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41EDAA8B39AB020F1C0C7&compId=IRF630S.pdf?ci_sign=714a34d59f8e6bb8432b1f12a689fba39587374a Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5.7A; Idm: 36A; 74W
Case: D2PAK; TO263
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 5.7A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 74W
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 43nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 36A
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IRF630SPBF IRF630SPBF Hersteller : Vishay sih630s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRF630SPBF IRF630SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sih630s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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