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Technische Details IRF634PBF Vishay
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V, Power Dissipation (Max): 74W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRF634PBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 2.66 EUR
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IRF634PBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRF634PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRF634PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5.1A; Idm: 32A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 5.1A Pulsed drain current: 32A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Gate charge: 41nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRF634PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 250V 8.1A N-CH MOSFET |
auf Bestellung 5577 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF634PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.1A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6299 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF634PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF634PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 8.1 A, 0.45 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250 Dauer-Drainstrom Id: 8.1 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.45 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
auf Bestellung 990 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF634PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 250V 8.1A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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