IRF640PBF
Produktcode: 22635
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 200
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 0.18
JHGF: THT
ZCODE: 8541290090
Produktrezensionen
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Weitere Produktangebote IRF640PBF nach Preis ab 1.4 EUR bis 3.74 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||
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IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 72A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 72A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.18Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Gate charge: 70nC Kind of package: tube |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 76 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
auf Bestellung 77 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (04-Feb-2026) |
auf Bestellung 150 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF640PBF | Hersteller : VISHAY |
N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220 |
auf Bestellung 69 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRF640PBF | Hersteller : Vishay/IR |
N-канальний ПТ, Udss, В = 200, Id = 18 А, Ptot, Вт = 125, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1300 @ 25, Qg, нКл = 70 @ 10, Rds = 180 мОм @ 11 А, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: TO-220AB Од Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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IRF640PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET |
Produkt ist nicht verfügbar |