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IRF640PBF

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sihf640.pdf
Produktcode: 22635
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 200 V
Drain-Strom Idd, A: 18 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,18 Ohm
Montage: THT
ZCODE: 8541290090
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF640PBF IRF640PBF Vishay irf640.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF640PBF IRF640PBF VISHAY VISH-S-A0024457021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
auf Bestellung 147 Stücke:
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59+3.96 EUR
100+2.78 EUR
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IRF640PBF IRF640PBF Vishay Semiconductors sihf640.pdf MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
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IRF640PBF VISHAY sihf640.pdf N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
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IRF640PBF
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Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRF640PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRF640PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 18 A, 0.18 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
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euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 125W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 200V 18A N-CH MOSFET
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N-Channel, 200V, 18A, 125W, 0.18R, TO220
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