IRF6613TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF6613TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm.
Weitere Produktangebote IRF6613TRPBF nach Preis ab 1.27 EUR bis 5.8 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MT Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
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IRF6613TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 23A Power dissipation: 89W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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