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IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF International Rectifier

IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
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Technische Details IRF6613TRPBF International Rectifier

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 89W, Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 4700 Stücke:
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75+1.93 EUR
89+1.56 EUR
100+1.46 EUR
500+1.2 EUR
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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244+2.2 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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64+2.26 EUR
76+1.82 EUR
78+1.71 EUR
100+1.4 EUR
250+1.3 EUR
500+1.21 EUR
1000+1.13 EUR
3000+1.09 EUR
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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60+2.38 EUR
70+1.97 EUR
71+1.87 EUR
100+1.51 EUR
250+1.43 EUR
500+1.26 EUR
1000+1.2 EUR
3000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 60
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF6613-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
auf Bestellung 3722 Stücke:
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1+3.31 EUR
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500+1.78 EUR
4800+1.43 EUR
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 0.0026 ohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0026ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4295 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF6613TRPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 9191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
244+2.2 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.69 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRF6613TRPBF Hersteller : International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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244+2.2 EUR
500+1.91 EUR
1000+1.69 EUR
10000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 244
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf6613pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355e82b9b1a0d Description: MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E21F68802DD922F1A303005056AB0C4F&compId=irf6613pbf.pdf?ci_sign=22b184a7d9530b239b01848c8503885fd8923f04 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 23A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 23A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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