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IRF6613TRPBF

IRF6613TRPBF Infineon Technologies

infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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Technische Details IRF6613TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 150A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V, Verlustleistung: 89W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DirectFET MT, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF International Rectifier IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 20895 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 29620 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
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34+5.15 EUR
52+3.25 EUR
53+3.09 EUR
100+2.07 EUR
250+1.96 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies infineonirf6613datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.15 EUR
52+3.32 EUR
53+3.21 EUR
100+2.18 EUR
250+2.13 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
auf Bestellung 1931 Stücke:
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1+5.65 EUR
10+3.56 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
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IRF6613TRPBF IRF6613TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
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37+6.82 EUR
58+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
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IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 12949 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBF International Rectifier HiRel Products IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 9191 Stücke:
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244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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4800+1.61 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
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IRF6613TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
auf Bestellung 22140 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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226+2.44 EUR
Mindestbestellmenge: 226 Stücke
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IRF6613TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 20895 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 29620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
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IRF6613TRPBF INFN-S-A0012826371-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6613TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.15 EUR
52+3.25 EUR
53+3.09 EUR
100+2.07 EUR
250+1.96 EUR
500+1.64 EUR
1000+1.46 EUR
3000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF infineonirf6613datasheetv0101en.pdf
IRF6613TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 3670 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.15 EUR
52+3.32 EUR
53+3.21 EUR
100+2.18 EUR
250+2.13 EUR
500+1.83 EUR
1000+1.67 EUR
3000+1.54 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF Infineon_IRF6613_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6613TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC
auf Bestellung 1931 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.65 EUR
10+3.56 EUR
100+2.64 EUR
500+2.12 EUR
1000+2.05 EUR
2500+1.87 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRF6613TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6613TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 150 A, 3400 µohm, DirectFET MT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
Verlustleistung: 89W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DirectFET MT
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
auf Bestellung 3125 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
37+6.82 EUR
58+4.03 EUR
250+2.62 EUR
1000+2.05 EUR
2000+2 EUR
Mindestbestellmenge: 37 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 12949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
10000+1.87 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6613TRPBF IRSDS09308-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
auf Bestellung 9191 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
244+2.68 EUR
500+2.38 EUR
1000+2.14 EUR
Mindestbestellmenge: 244 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH