IRF6617TR1

IRF6617TR1 International Rectifier


irf6617.pdf Hersteller: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
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Technische Details IRF6617TR1 International Rectifier

Description: MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DirectFET™ Isometric ST, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V.

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Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.1mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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