IRF6623TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric ST
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V
auf Bestellung 3702 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4+ | 4.52 EUR |
| 10+ | 2.93 EUR |
| 100+ | 2.03 EUR |
| 500+ | 1.69 EUR |
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Technische Details IRF6623TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 55A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET ST, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6623TRPBF nach Preis ab 1.44 EUR bis 4.54 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRF6623TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH 5.7mOhm DirectFET 11nC |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6623TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 55 A, 5700 µohm, DirectFET ST, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 55A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET ST Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5700µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4735 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 16A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 16A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric ST Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ ST Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 10 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF6623TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 16A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 16A Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Power dissipation: 42W |
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