Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRF6645TRPBF
IRF6645TRPBF

IRF6645TRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
212+0.83 EUR
Mindestbestellmenge: 212 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRF6645TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRF6645TRPBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 4.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
205+0.86 EUR
212+0.8 EUR
214+0.76 EUR
235+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+1.14 EUR
200+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 3379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 33521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 6412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
147+1.58 EUR
250+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
110+2.27 EUR
147+1.58 EUR
250+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
auf Bestellung 5058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.62 EUR
10+2.23 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF IRF6645TRPBF Infineon Technologies irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 991 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
205+0.86 EUR
212+0.8 EUR
214+0.76 EUR
235+0.67 EUR
250+0.64 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 205 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 4780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
148+1.14 EUR
200+1.12 EUR
1000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4800+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 3379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 33521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
10000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 6412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF infineon-irf6645-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R
auf Bestellung 4078 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
449+1.48 EUR
500+1.31 EUR
1000+1.18 EUR
Mindestbestellmenge: 449 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+2.27 EUR
147+1.58 EUR
250+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF INFN-S-A0012826802-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6645TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 42W
Bauform - Transistor: DirectFET SJ
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
110+2.27 EUR
147+1.58 EUR
250+1.24 EUR
1000+1.05 EUR
2000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF Infineon_IRF6645_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ
auf Bestellung 5058 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.62 EUR
10+2.23 EUR
100+1.58 EUR
500+1.27 EUR
1000+1.08 EUR
2500+1.01 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6645TRPBF irf6645pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec4ff51a51
IRF6645TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 11489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.55 EUR
1000+1.43 EUR
2000+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH