IRF6645TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF6645TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 42W, Bauform - Transistor: DirectFET SJ, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFETPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
auf Bestellung 6092 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 5.7A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric SJ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta), 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5.7A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ SJ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 25 V |
auf Bestellung 21762 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SJ |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6645TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.035 ohm, DirectFET SJ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 42W Bauform - Transistor: DirectFET SJ Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
auf Bestellung 19200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 5.7A 7-Pin Direct-FET SJ T/R |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Power dissipation: 42W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke |
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IRF6645TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 5.7A; 42W; DirectFET Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 5.7A Power dissipation: 42W Case: DirectFET Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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