Produkte > Transistoren > MOSFET N-CH > IRF6648TRPBF

IRF6648TRPBF


irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Produktcode: 167334
zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Weitere Produktangebote IRF6648TRPBF nach Preis ab 1.2 EUR bis 8.4 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.77 EUR
9600+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+2.21 EUR
90+1.89 EUR
91+1.81 EUR
104+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
73+2.42 EUR
83+2.09 EUR
100+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.25 EUR
4800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 17090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+3.51 EUR
100+2.39 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.82 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.94 EUR
52+3.34 EUR
100+2.3 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+5.18 EUR
53+3.26 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
auf Bestellung 23252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+5.46 EUR
10+3.36 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
30+8.4 EUR
46+5.06 EUR
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF International Rectifier HiRel Products irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 IRF6648TRPBF
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4800+1.77 EUR
9600+1.76 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+2.21 EUR
90+1.89 EUR
91+1.81 EUR
104+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF 3642051191216770irf6648pbf.pdffileid5546d462533600a4015355ec6e561a59.pdffileid554.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
73+2.42 EUR
83+2.09 EUR
100+1.76 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.37 EUR
2000+1.25 EUR
4800+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 73 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 17090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
10000+1.82 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
51+3.51 EUR
100+2.39 EUR
500+1.94 EUR
1000+1.82 EUR
2500+1.78 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
36+4.94 EUR
52+3.34 EUR
100+2.3 EUR
500+1.81 EUR
1000+1.7 EUR
2500+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+5.18 EUR
53+3.26 EUR
100+2.2 EUR
500+1.76 EUR
1000+1.63 EUR
2500+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
auf Bestellung 23252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+5.46 EUR
10+3.36 EUR
100+2.4 EUR
500+2.01 EUR
1000+1.93 EUR
2500+1.8 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+6.12 EUR
10+3.97 EUR
100+2.75 EUR
500+2.23 EUR
1000+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
30+8.4 EUR
46+5.06 EUR
100+3.24 EUR
500+2.68 EUR
Mindestbestellmenge: 30 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
253+2.62 EUR
500+2.32 EUR
1000+2.09 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH