Weitere Produktangebote IRF6648TRPBF nach Preis ab 1.2 EUR bis 8.4 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MNPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 5011 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 17090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 8617 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 3468 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 3328 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R |
auf Bestellung 3332 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC |
auf Bestellung 23252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MNPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V |
auf Bestellung 14000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6648TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DirectFET MN Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 939 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF | International Rectifier HiRel Products |
IRF6648TRPBF |
auf Bestellung 3715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4800+ | 1.77 EUR |
| 9600+ | 1.76 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 80+ | 2.21 EUR |
| 90+ | 1.89 EUR |
| 91+ | 1.81 EUR |
| 104+ | 1.52 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 73+ | 2.42 EUR |
| 83+ | 2.09 EUR |
| 100+ | 1.76 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.37 EUR |
| 2000+ | 1.25 EUR |
| 4800+ | 1.2 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 17090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 253+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| 10000+ | 1.82 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 253+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 51+ | 3.51 EUR |
| 100+ | 2.39 EUR |
| 500+ | 1.94 EUR |
| 1000+ | 1.82 EUR |
| 2500+ | 1.78 EUR |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 36+ | 4.94 EUR |
| 52+ | 3.34 EUR |
| 100+ | 2.3 EUR |
| 500+ | 1.81 EUR |
| 1000+ | 1.7 EUR |
| 2500+ | 1.65 EUR |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 34+ | 5.18 EUR |
| 53+ | 3.26 EUR |
| 100+ | 2.2 EUR |
| 500+ | 1.76 EUR |
| 1000+ | 1.63 EUR |
| 2500+ | 1.51 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
auf Bestellung 23252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.46 EUR |
| 10+ | 3.36 EUR |
| 100+ | 2.4 EUR |
| 500+ | 2.01 EUR |
| 1000+ | 1.93 EUR |
| 2500+ | 1.8 EUR |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4+ | 6.12 EUR |
| 10+ | 3.97 EUR |
| 100+ | 2.75 EUR |
| 500+ | 2.23 EUR |
| 1000+ | 2.17 EUR |
| IRF6648TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 30+ | 8.4 EUR |
| 46+ | 5.06 EUR |
| 100+ | 3.24 EUR |
| 500+ | 2.68 EUR |
| IRF6648TRPBF |
![]() |
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF6648TRPBF
IRF6648TRPBF
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 253+ | 2.62 EUR |
| 500+ | 2.32 EUR |
| 1000+ | 2.09 EUR |






