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IRF6648TRPBF

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Produktcode: 167334
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4800+1.32 EUR
9600+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 17090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
51+2.91 EUR
100+1.98 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
36+4.1 EUR
52+2.77 EUR
100+1.91 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf8010spbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
34+4.31 EUR
53+2.71 EUR
100+1.83 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
auf Bestellung 23252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.59 EUR
10+2.82 EUR
100+2.02 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.51 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF Infineon Technologies irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 19647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+4.63 EUR
10+3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF6648TRPBF IRF6648TRPBF INFINEON INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF6648TRPBF International Rectifier HiRel Products irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59 IRF6648TRPBF
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 9600 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4800+1.32 EUR
9600+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 4800 Stücke
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IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 17090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
10000+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF6648TRPBF irf8010spbf.pdf
IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 8617 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
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IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3468 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
51+2.91 EUR
100+1.98 EUR
500+1.61 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 51 Stücke
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IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3328 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
36+4.1 EUR
52+2.77 EUR
100+1.91 EUR
500+1.51 EUR
1000+1.41 EUR
2500+1.37 EUR
Mindestbestellmenge: 36 Stücke
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IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 86A 7-Pin Direct-FET MN T/R
auf Bestellung 3332 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
34+4.31 EUR
53+2.71 EUR
100+1.83 EUR
500+1.47 EUR
1000+1.36 EUR
2500+1.26 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRF6648TRPBF Infineon_IRF6648_DS_v01_02_EN.pdf
IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH 5.5mOhm DirectFET 36nC
auf Bestellung 23252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
1+4.59 EUR
10+2.82 EUR
100+2.02 EUR
500+1.69 EUR
1000+1.62 EUR
2500+1.51 EUR
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IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
IRF6648TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 86A DIRECTFET MN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 25 V
auf Bestellung 19647 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4+4.63 EUR
10+3 EUR
100+2.07 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.6 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6648TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF INFN-S-A0003071207-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6648TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6648TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 86 A, 7000 µohm, DirectFET MN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 89W
Bauform - Transistor: DirectFET MN
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 939 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6648TRPBF irf6648pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec6e561a59
Hersteller: International Rectifier HiRel Products
IRF6648TRPBF
auf Bestellung 3715 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
253+2.17 EUR
500+1.93 EUR
1000+1.74 EUR
Mindestbestellmenge: 253 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH