IRF6662TRPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 83+ | 1.79 EUR |
| 84+ | 1.71 EUR |
| 85+ | 1.62 EUR |
| 87+ | 1.53 EUR |
| 100+ | 1.45 EUR |
| 250+ | 1.37 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| 1000+ | 1.26 EUR |
| 3000+ | 1.24 EUR |
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Technische Details IRF6662TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRF6662TRPBF nach Preis ab 1.24 EUR bis 5.10 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
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IRF6662TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6662TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
auf Bestellung 9118 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6662TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
auf Bestellung 1440 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF6662TRPBF | Hersteller : Infineon / IR |
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ |
auf Bestellung 3688 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF6662TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRF6662TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.0175 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0175ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3938 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF6662TRPBF | Hersteller : Infineon |
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auf Bestellung 4800 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRF6662TRPBF Produktcode: 87232
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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