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IRF6662TRPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.13 EUR
84+2.07 EUR
85+2 EUR
87+1.93 EUR
100+1.87 EUR
250+1.81 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
83+2.13 EUR
84+2.03 EUR
85+1.93 EUR
87+1.82 EUR
100+1.73 EUR
250+1.63 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
281+2.36 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF INFINEON INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
80+3.12 EUR
82+2.83 EUR
100+2.52 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF International Rectifier IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 8018 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
173+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon Technologies irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF6662TRPBF IRF6662TRPBF Infineon / IR Infineon_IRF6662_DataSheet_v01_01_EN-1228449.pdf MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+6.07 EUR
10+5.49 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
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IRF6662TRPBF Infineon IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF6662TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+2.13 EUR
84+2.07 EUR
85+2 EUR
87+1.93 EUR
100+1.87 EUR
250+1.81 EUR
500+1.74 EUR
1000+1.71 EUR
3000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRF6662TRPBF infineon-irf6662-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF6662TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 10852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
83+2.13 EUR
84+2.03 EUR
85+1.93 EUR
87+1.82 EUR
100+1.73 EUR
250+1.63 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.5 EUR
3000+1.48 EUR
Mindestbestellmenge: 83 Stücke
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IRF6662TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 8.3A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
auf Bestellung 1440 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
281+2.36 EUR
500+2.24 EUR
1000+2.06 EUR
Mindestbestellmenge: 281 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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IRF6662TRPBF INFN-S-A0012826925-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF6662TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF6662TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 47 A, 0.022 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 2688 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
80+3.12 EUR
82+2.83 EUR
100+2.52 EUR
500+2.46 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 80 Stücke
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IRF6662TRPBF IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF6662TRPBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 8018 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
173+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 173 Stücke
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IRF6662TRPBF irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
IRF6662TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
auf Bestellung 457 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4+5.71 EUR
10+3.72 EUR
100+2.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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IRF6662TRPBF Infineon_IRF6662_DataSheet_v01_01_EN-1228449.pdf
IRF6662TRPBF
Hersteller: Infineon / IR
MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ
auf Bestellung 3688 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+6.07 EUR
10+5.49 EUR
100+4.4 EUR
500+3.62 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF6662TRPBF IRSDS09319-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irf6662pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355ec7edc1a5d
Hersteller: Infineon
auf Bestellung 4800 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH