IRF6714MTRPBF

IRF6714MTRPBF Infineon Technologies


infineon-irf6714m-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
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Technische Details IRF6714MTRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT, Packaging: Bulk, Package / Case: DirectFET™ Isometric MX, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA, Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V.

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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6714m-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 25V 29A 7-Pin Direct-FET MX T/R
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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Hersteller : International Rectifier IRSDS10734-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRF6714M_DataSheet_v01_01_EN-1732410.pdf MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 2.1mOhms 29nC
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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6714mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 166A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 166A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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IRF6714MTRPBF IRF6714MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6714mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 25V; 166A; 89W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 25V
Drain current: 166A
Power dissipation: 89W
Case: DirectFET
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