IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRF6785MTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRF6785MTRPBF nach Preis ab 1.15 EUR bis 4.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IRF6785MTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRF6785MTRPBF SMD N channel transistors |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 19A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: DirectFET MZ Anzahl der Pins: -Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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IRF6785MTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R |
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