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IRF6785MTRPBF

IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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Technische Details IRF6785MTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 19A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 57W, Bauform - Transistor: DirectFET MZ, Anzahl der Pins: -Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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85+1.62 EUR
100+1.55 EUR
250+1.48 EUR
500+1.41 EUR
1000+1.34 EUR
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Mindestbestellmenge: 84
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS09083-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 3.4A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta), 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
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10+2.90 EUR
100+2.42 EUR
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1000+1.73 EUR
2000+1.65 EUR
Mindestbestellmenge: 6
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF6785_DataSheet_v01_01_EN-3363288.pdf MOSFETs 200V 1 x N-CH HEXFET for Digital Audio
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10+3.85 EUR
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6785mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4800 Stücke
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : INFINEON 44122.pdf Description: INFINEON - IRF6785MTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 19 A, 0.085 ohm, DirectFET MZ, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 19A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: DirectFET MZ
Anzahl der Pins: -Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf6785-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 200V 3.4A 7-Pin Direct-FET MZ T/R
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IRF6785MTRPBF IRF6785MTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf6785mpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 19A; 57W; DirectFET
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 19A
Case: DirectFET
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 57W
Technology: HEXFET®
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