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IRF7103TRPBFXTMA1

IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 3A; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 3A
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
64+1.13 EUR
101+0.71 EUR
155+0.46 EUR
500+0.36 EUR
1000+0.33 EUR
2000+0.3 EUR
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Technische Details IRF7103TRPBFXTMA1 INFINEON TECHNOLOGIES

Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
auf Bestellung 2848 Stücke:
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Anzahl Preis
10+1.8 EUR
16+1.12 EUR
100+0.74 EUR
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1000+0.52 EUR
2000+0.47 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies irf7103pbf_1.pdf MOSFETs PLANAR FET
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Anzahl Preis
2+1.87 EUR
10+1.17 EUR
100+0.77 EUR
500+0.59 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.49 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : INFINEON 3732771.pdf Description: INFINEON - IRF7103TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 50 V, 3 A, 0.13 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.13ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2984 Stücke:
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies irf7103.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A 8-Pin SO T/R
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IRF7103TRPBFXTMA1 IRF7103TRPBFXTMA1 Hersteller : Infineon Technologies irf7103pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f0f0141ac6 Description: MOSFET 2N-CH 50V 3A 8DSO-902
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
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