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IRF7104TRPBF

IRF7104TRPBF Infineon Technologies

irf7104.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRF7104TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7104_DataSheet_v01_01_EN-3362843.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542218-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7104TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 2.3 A, 2.3 A, 0.19 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 2.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.19ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.19ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace IRF7104TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
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IRF7104TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace (MOSFET,P-CH,DUAL,20V,2.3A,SO-8)
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f111081ace Description: MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7104.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 2.3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7104TRPBF IRF7104TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7104pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -2.3A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.3A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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