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IRF7303TRPBF

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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF Infineon Technologies infineonirf7303datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1142 Stücke:
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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
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Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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IRF7303TRPBF IRF7303TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542221-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
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Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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IRF7303TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.05 ohm
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
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Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
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