IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
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Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
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Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3764 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details IRF7303TRPBFXTMA1 INFINEON
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SO-8, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRF7303TRPBFXTMA1 nach Preis ab 0.56 EUR bis 1.43 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7303TRPBFXTMA1 - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 30 V, 4.9 A, 0.05 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0 Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SO-8 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Zweifach n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3764 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
auf Bestellung 8000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8DSO-902 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-DSO-8-902 |
auf Bestellung 10975 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7303TRPBFXTMA1 | Hersteller : Infineon Technologies | MOSFET PLANAR 40<-<100V |
Produkt ist nicht verfügbar |