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IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)

IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Produktcode: 45192
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar 12 St.:
Anzahl Preis
1+0.35 EUR
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 40000 Stücke:
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4000+0.36 EUR
8000+0.35 EUR
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20000+0.31 EUR
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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4000+0.53 EUR
8000+0.49 EUR
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20000+0.45 EUR
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Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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192+0.74 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.47 EUR
2000+0.41 EUR
Mindestbestellmenge: 147
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1751 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
58+1.24 EUR
92+0.78 EUR
129+0.56 EUR
200+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 58
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7309pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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93+1.58 EUR
148+0.96 EUR
193+0.7 EUR
500+0.52 EUR
1000+0.45 EUR
2000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 93
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7309_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 6621 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.94 EUR
10+1.22 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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14+1.33 EUR
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500+0.68 EUR
1000+0.62 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5064 Stücke:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 5064 Stücke:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7309TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irf7309-datasheet-en.pdf (SO-8)
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IRF7309TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
auf Bestellung 1270 Stücke:
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