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IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)

IRF7309TRPBF (Transistoren Feld N-Kanal)

irf7309pbf-1-datasheet.pdf
Produktcode: 45192
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: P/N Kanal 2 in 1
JHGF: SMD
ZCODE: 8541290010
verfügbar 12 Stück:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4000+0.43 EUR
8000+0.4 EUR
12000+0.38 EUR
20000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 4000
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 52000 Stücke:
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 72000 Stücke:
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4000+0.46 EUR
8000+0.44 EUR
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
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Anzahl Preis
275+0.53 EUR
313+0.45 EUR
500+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 275
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 546 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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243+0.6 EUR
273+0.52 EUR
311+0.44 EUR
500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 243
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2285 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
62+1.16 EUR
92+0.78 EUR
117+0.61 EUR
130+0.55 EUR
200+0.5 EUR
500+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 62
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D362A89F7F1A303005056AB0C4F&compId=irf7309pbf.pdf?ci_sign=0e8c5129e3b87970c95a289d54aff0ba7db3c46c Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 4/-3A; 1.4W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 4/-3A
Power dissipation: 1.4W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.05/0.1Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
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62+1.16 EUR
92+0.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 62
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
122+1.48 EUR
200+0.95 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 122
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRF7309-DataSheet-v01_01-EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 4.0A
auf Bestellung 16036 Stücke:
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Anzahl Preis
2+1.71 EUR
10+1.14 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
4000+0.45 EUR
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 2.4A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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10+1.94 EUR
15+1.21 EUR
100+0.8 EUR
500+0.62 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS13236-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7309TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 4 A, 4 A, 0.05 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.05ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.05ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 6385 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7309TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation infineon-irf7309-datasheet-en.pdf (SO-8)
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IRF7309TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon infineon-irf7309-datasheet-en.pdf Транзистор польовий N+P; Udss, В = 30; Id = 4 А; Ptot, Вт = 1,4; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 520 @ 15; Qg, нКл = 25 @ 4,5 В; Rds = 50 мОм @ 2,4 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА; Id2 = 3 A; SOICN-8
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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IRF7309TRPBF IRF7309TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7309.pdf Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8-Pin SOIC T/R
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10BQ100
Produktcode: 148844
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description 10bq100m.pdf
10BQ100
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: SMB (DO-214AA)
Vrrm(V): 100 V
If(A): 1 А
VF@IF: 0,59 V
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 38 A
auf Bestellung 169 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 3000 Stück:
3000 Stück - erwartet 06.12.2025
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IRF7309PBF
Produktcode: 36562
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description irf7309pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f224631b14
IRF7309PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 30
Idd,A: 4.7(3.5)
Rds(on), Ohm: 0.05(0.1)
Ciss, pF/Qg, nC: 520/25
Bem.: N+P
JHGF: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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IRLML2803TRPBF
Produktcode: 27051
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infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 03.03.1985
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar: 911 Stück
15 Stück - stock Köln
896 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.29 EUR
100+0.13 EUR
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33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 16718
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NPO.pdf
33pF 50V NP0 5% 0805 4k/reel (C0805N330J500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 0805
Kapazität: 33pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: NP0
Präzision: ±5% J
Größentyp: 0805
№ 7: 8532240000
verfügbar: 4568 Stück
1200 Stück - stock Köln
3368 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
10+0.022 EUR
100+0.0074 EUR
1000+0.0052 EUR
10000+0.0048 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Produktcode: 1917
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X7R_X5R.pdf
470pF 50V X7R 10% 1206 4k/reel (C1206B471K500NT-Hitano) (Keramikkondensator SMD)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 470pF
Nennspannung: 50V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
№ 8: 8532240000
auf Bestellung 2210 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.03 EUR
100+0.015 EUR
1000+0.012 EUR
10000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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