IRF730
Produktcode: 15294
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IRF730 nach Preis ab 2.09 EUR bis 3.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
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IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 57 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF730 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 400V 75W 1Ω IRF730 TIRF730 Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 200 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRF730 | Harris Corporation |
Description: N-CHANNEL, MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V |
auf Bestellung 24533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 455 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 6306 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 465 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 | HARRIS |
IRF730 |
auf Bestellung 17307 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF730 |
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auf Bestellung 57 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.09 EUR |
| IRF730 |
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auf Bestellung 200 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 20+ | 2.09 EUR |
| IRF730 |
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Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL, MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 25 V
auf Bestellung 24533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 166+ | 3.25 EUR |
| IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 455 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.15 EUR |
| IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 6306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.53 EUR |
| IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.15 EUR |
| IRF730 |
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Hersteller: HARRIS
IRF730
IRF730
auf Bestellung 17307 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 207+ | 3.15 EUR |
| 500+ | 2.81 EUR |
| 1000+ | 2.53 EUR |
| 10000+ | 2.21 EUR |