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IRF7311TRPBF

IRF7311TRPBF

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Produktcode: 107584
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Idd, A: 5,3 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,029 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 900/18
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Infineon Technologies irf7311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Infineon Technologies irf7311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF China replica irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 SOIC-8 Транзистори
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Infineon Technologies irf7311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF International Rectifier irf7311.pdf SOIC-8 Транзистори
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7311TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF
Hersteller: China replica
SOIC-8 Транзистори
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IRF7311TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+1.09 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7311TRPBF
Hersteller: International Rectifier
SOIC-8 Транзистори
auf Bestellung 8 Stücke:
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IRF7311TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7311TRPBF INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7311TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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PTFE Rohr 1Meter D4/2mm
Produktcode: 187423
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PTFE Rohr 1Meter D4/2mm
Gehäuse, Halter, Montage- und Installationselemente > Mechanische Komponenten
Beschreibung: PTFE Rohr. Länge 1 Meter. Außendurchmesser Durchmesser: 4mm, Innendurchmesser:2mm
Verwendung: Für Extruder
erwartet: 40 St.
  • 40 St. - erwartet 01.10.2026
auf Bestellung: 15 St.
  • 15 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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IRF7313TRPBF
Produktcode: 23579
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description irf7313 -datasheet.pdf
IRF7313TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SO-8
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 6,5 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,29 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 650/22
Bemerkung: Zwei Transistoren in einem Gehäuse
Montage: SMD
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
auf Bestellung: 223 St.
  • 223 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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10+0.81 EUR
100+0.73 EUR
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