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IRF7311TRPBF

IRF7311TRPBF

irf7311pbf-datasheet.pdf
Produktcode: 107584
Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 900/18
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002542230-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
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IRF7311TRPBF Hersteller : China replica irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 SOIC-8
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IRF7311TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 SOIC-8
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IRF7311TRPBF Hersteller : Taiwan TY Semiconductor irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 SOIC-8
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7311.pdf Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7311pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f551ed1b22 Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7311_DataSheet_v01_01_EN-3362889.pdf MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A
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IRF7311TRPBF IRF7311TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2219D564C0834F1A303005056AB0C4F&compId=irf7311pbf.pdf?ci_sign=8996b5e8514953b18fbf8dc54ac6b3c8a3a84fbb Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 6.6A; 2W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
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10C_ICR18650_2000mAh_ds.pdf
Аккумулятор ICR18650 10C (2000 mAh) 3.7V
Hersteller: PKCELL
Akkus > LiIon-Batterien
Technologie: Li-Ion
Größe/Typ: 18650
Kapazität mAh: 2000 mAh
Form: циліндрична
Spannung, V: 3,7 V
Maximale Dauer: 20 A
Відмінності: Без захисту
auf Bestellung 370 Stück:
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Стеклотекстолит FR-4 35/0 2,0мм 25х420мм
Produktcode: 164616
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Стеклотекстолит FR-4 35/0 2,0мм 25х420мм
Hersteller: RMT
Lötgeräte, Lötmaterial > Glasfaser, Fotolack
Art: Склотекстоліт фольгований односторонній
Beschreibung: FR-4фольгований односторонній, товщина 2,0 мм, товщина шару фольги 35мкм
Abmessungen: 25 x 420 mm
Товщина: 2,0 mm
Вид: односторонній
auf Bestellung 125 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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1W EMC 3030 SMD (CCT6000-6500K)
Produktcode: 130020
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1W EMC 3030 SMD (CCT6000-6500K)
Hersteller: Opto
LEDs > LEDs sichtbare Spektrum SMD
Farbe (Wellenlänge): білий холодний
Typ, Größe: 3030
Linse: прозора
Spannungsfall: 3,1... 3,3 V
Lichtstärke: 120 lm
Lichtwinkel: 120°
Austausch: 6000...6500 K
Примітка: Потужний 1W
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1N5819
Produktcode: 29778
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1N5817-22.pdf
1N5819
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: DO-41
Vrrm(V): 40
If(A): 1
VF@IF: 0,6
Монтаж: THT
Імпульсний струм, Ifsm: 25 A
Produkt ist nicht verfügbar
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.021 EUR
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