IRF7311TRPBF
Produktcode: 107584
Hersteller: IRGehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Idd,A: 05.03.2015
Rds(on), Ohm: 0.029
Ciss, pF/Qg, nC: 900/18
Bem.: Два транзистори в одному корпусі
JHGF: SMD
auf Bestellung 28 St.:
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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IRF7311TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRF7311TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.6 A, 6.6 A, 0.023 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
auf Bestellung 21 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7311TRPBF | Hersteller : China replica |
SOIC-8 |
auf Bestellung 425 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7311TRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
SOIC-8 |
auf Bestellung 238 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRF7311TRPBF | Hersteller : Taiwan TY Semiconductor |
SOIC-8 |
auf Bestellung 9 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 6A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRF7311TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A |
Produkt ist nicht verfügbar |