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IRF7314TRPBF

IRF7314TRPBF

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Produktcode: 54354
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Hersteller: IR
Gehäuse: SO-8
Uds,V: 20
Id,A: 5.3
Rds(on),Om: 0.058
Ciss, pF/Qg, nC: 780/19
Gebr.: 2P
/: SMD
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10+0.57 EUR
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Technische Details IRF7314TRPBF IR

  • MOSFET
  • Transistor Type:MOSFET
  • Transist

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRF7314TRPBF Hersteller : JSMSEMI irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Сдвоенный HEXFET SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7314.pdf Trans MOSFET P-CH Si 20V 5.3A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS07021-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7314TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 5.3 A, 5.3 A, 0.049 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 5.3A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.049ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.049ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : International Rectifier irf7314pbf.pdf Сдвоенный HEXFET 5-ого поколения с P-CH и низким сопротивл. с-и 0,058 Ом U=-20 В I=2,5 А SOIC-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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IRF7314TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irf7314pbf.pdf 2P-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 5,3 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 780 @ 15, Qg, нКл = 29 @ 4,5 В, Rds = 58 мОм @ 2,9 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Група товару: Транзистори Корпус: SOICN-8 Од.
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f57b901b2c Description: MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Not For New Designs
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IRF7314TRPBF IRF7314TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7314_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -20V 5.3A
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Висота: 13,0 mm
Ширина: 26,0 mm
Глибина: 10,0 mm
auf Bestellung 109 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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Anzahl Reihen: 2-х рядні
Anzahl Kontakte: 6
verfügbar: 766 St.
50 St. - stock Köln
716 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 100 St.
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Матеріал корпуса: Скло
Номінальна напруга: 250 VAC
Швидкодія: Швидкий
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
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100+0.15 EUR
1000+0.12 EUR
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10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Produktcode: 82544
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RC_series.pdf
10,0 kOhm 1% 0,125W 150V 0805 (RC0805FR-0710KL /Yageo)
Hersteller: Yageo
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Resistenz: 10,0 kOhm
Präzision: ±1% F
P Nenn.,W: 0,125 W
U Betriebs.,V: 150 V
Größe Typ: 0805
auf Bestellung 97841 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 200000 St.:
200000 St. - erwartet 05.06.2026
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TL431AIDBZR
Produktcode: 148257
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Hersteller: TI
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