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IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF International Rectifier irf7316.pdf description MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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169+1.01 EUR
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1000+0.65 EUR
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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86+2.93 EUR
182+1.27 EUR
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1000+0.81 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9111 Stücke:
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100+2.93 EUR
182+1.27 EUR
250+1.05 EUR
1000+0.81 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRF7316TRPBF International Rectifier/Infineon IRF7316.pdf description 2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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24000+0.49 EUR
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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4000+0.55 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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4000+0.55 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
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AnzahlPrivatkunde
4000+0.61 EUR
12000+0.6 EUR
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 379 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+0.92 EUR
248+0.67 EUR
262+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
auf Bestellung 285 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
5+1.4 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
90+1.93 EUR
169+0.99 EUR
188+0.86 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.61 EUR
2000+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
90+1.93 EUR
169+1.01 EUR
188+0.88 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.65 EUR
2000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12445 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+2.37 EUR
15+1.49 EUR
50+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
auf Bestellung 13930 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+2.39 EUR
10+1.11 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.69 EUR
4000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
86+2.93 EUR
182+1.27 EUR
250+1.05 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 86 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.93 EUR
182+1.27 EUR
250+1.05 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1229 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7316TRPBF description IRF7316.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
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