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IRF7316TRPBF

IRF7316TRPBF Infineon Technologies

irf7316.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Technische Details IRF7316TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
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Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.92 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
177+1 EUR
203+0.83 EUR
238+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF International Rectifier irf7316.pdf description MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7316pbf.pdf description Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
43+2.02 EUR
61+1.4 EUR
87+0.99 EUR
100+0.86 EUR
200+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316.pdf description Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
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81+2.2 EUR
115+1.48 EUR
163+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
auf Bestellung 11716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+3.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.87 EUR
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF Infineon Technologies irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 17859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRF7316TRPBF IRF7316TRPBF INFINEON INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7316TRPBF International Rectifier/Infineon IRF7316.pdf description 2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 6732 Stücke:
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IRF7316TRPBF irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34 description MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
auf Bestellung 3768 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
258+0.68 EUR
Mindestbestellmenge: 258 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.92 EUR
8000+0.84 EUR
12000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
177+1 EUR
203+0.83 EUR
238+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.54 EUR
2000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 177 Stücke
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IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET 2P-CH 30V 4.9A SO-8 Транзистори
auf Bestellung 285 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+1.44 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET x2
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1597 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
43+2.02 EUR
61+1.4 EUR
87+0.99 EUR
100+0.86 EUR
200+0.76 EUR
250+0.73 EUR
500+0.67 EUR
1000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 43 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC N T/R
auf Bestellung 3665 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+2.2 EUR
115+1.48 EUR
163+1.01 EUR
500+0.79 EUR
1000+0.69 EUR
2000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description Infineon_IRF7316_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT DUAL PCh -30V 4.9A
auf Bestellung 11716 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+3.37 EUR
10+2.12 EUR
100+1.39 EUR
500+1.11 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.87 EUR
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IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
IRF7316TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 4.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 17859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.45 EUR
10+2.19 EUR
100+1.46 EUR
500+1.14 EUR
1000+1.05 EUR
2000+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description INFN-S-A0004663990-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7316TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7316TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.042 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.042ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.042ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 9616 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description IRF7316.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
2P-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 4,9 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 710 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 58 мОм @ 4,9 A, 10 В, Ugs(th) = 1 В @ 250 мкА, Р, Вт = 2 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7316TRPBF description irf7316pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5994e1b34
MOSFET 30V 4.9A (30A pulse), 2xP Channel SOIC-8
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