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IRF7319TRPBF

IRF7319TRPBF Infineon Technologies

irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
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8000+0.70 EUR
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Technische Details IRF7319TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm, productTraceability: No, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
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151+0.95 EUR
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRF7319_DataSheet_v01_01_EN-3363056.pdf MOSFETs MOSFT DUAL N/PCh 30V 6.5A
auf Bestellung 7960 Stücke:
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Anzahl Preis
2+2.43 EUR
10+1.56 EUR
100+1.15 EUR
500+0.97 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.82 EUR
4000+0.72 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Description: MOSFET N/P-CH 30V 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 14431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.82 EUR
10+1.78 EUR
100+1.19 EUR
500+0.94 EUR
1000+0.86 EUR
2000+0.85 EUR
Mindestbestellmenge: 7
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 105942 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0003098041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7319TRPBF - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.023 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.023ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.023ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 105942 Stücke:
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IRF7319TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Сборка MOSFET транзисторов SO-8
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF
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irf7319pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f5c82f1b41 Transistoren > MOSFET N-CH
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irf7319.pdf Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 6.5A/4.9A 8-Pin SOIC T/R
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
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IRF7319TRPBF IRF7319TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irf7319pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 6.5/-4.9A; 2W; SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30/-30V
Drain current: 6.5/-4.9A
Power dissipation: 2W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 29/58mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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