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IRF7329TRPBF

IRF7329TRPBF Infineon Technologies

irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
4000+0.65 EUR
8000+0.61 EUR
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Technische Details IRF7329TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 2515 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
611+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
Mindestbestellmenge: 611 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
148+0.99 EUR
Mindestbestellmenge: 148 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
81+1.82 EUR
135+1.07 EUR
172+0.82 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7329_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
auf Bestellung 2409 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+2.11 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
2000+0.73 EUR
4000+0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f617841b55 Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
500+0.84 EUR
1000+0.76 EUR
2000+0.75 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF Infineon Technologies irf7329pbf.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 17 Stücke
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IRF7329TRPBF IRF7329TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRF7329TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
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611+0.9 EUR
1000+0.82 EUR
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Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 1580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
81+1.82 EUR
135+1.07 EUR
172+0.82 EUR
500+0.74 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRF7329TRPBF
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MOSFETs MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A
auf Bestellung 2409 Stücke:
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AnzahlPreis
2+2.11 EUR
10+1.38 EUR
100+0.9 EUR
500+0.82 EUR
1000+0.75 EUR
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4000+0.64 EUR
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IRF7329TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 12155 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
7+2.52 EUR
12+1.59 EUR
100+1.06 EUR
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1000+0.76 EUR
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IRF7329TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRF7329TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 9.2A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 171 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF7329TRPBF INFN-S-A0004664150-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7329TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7329TRPBF - Dual-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 12 V, 9.2 A, 9.2 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85412900
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Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9.2A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
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isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 12V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 12V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2655 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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